11月19日 ,界面新闻从CFM闪存市场获悉,闪存价格呈现全面上涨态势,部分产品涨幅逼近40% 。其中 ,1Tb QLC 涨25.00%至12.50美元,1Tb TLC涨23.81%至13美元,512Gb TLC涨幅最高 ,达38.46%,涨至9美元,256Gb TLC 涨14.58%至5.50美元。
今日闪存价格走势
在昨日举行的小米业绩电话会上 ,小米集团合伙人、总裁卢伟冰也谈及存储成本攀升问题。他指出,当前内存价格上涨是长周期行为,主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增,而非传统的手机 、笔记本行业周期波动 。
面对这一行业趋势 ,卢伟冰透露小米已提前布局,与合作伙伴签订了2026年全年供应协议,确保全年供应不受影响 ,并表示未来可能通过涨价和产品结构升级来缓解成本压力。
闪存,作为一种非易失性存储技术,在各类电子产品中广泛应用 ,常见的如手机、电脑的存储部件。与DRAM(动态随机存取存储器,常用于计算机内存,数据断电后会丢失)不同 ,闪存即使在断电后仍能保存数据 。二者共同构成了当前主流半导体存储器的主要部分,在全球存储市场占据重要地位。
NAND闪存的核心是“存储单元 ”(Cell),就像一个个可存放数据的“小盒子”。QLC和TLC的命名便源于每个“小盒子”能存放的“数据位数 ” 。QLC每个存储单元可存储4位数据 ,主要用于大容量SSD(固态硬盘)、数据中心存储设备等场景。而TLC每个存储单元可存储3位数据,是目前消费电子产品中最普及的闪存技术,常见于手机 、笔记本电脑的SSD、U盘等。
图片来源:CFM闪存市场
近期闪存价格大幅上涨,受到多方面因素影响。在供给端 ,三星、SK海力士 、铠侠、美光等存储行业巨头从今年下半年开始,集体削减NAND(闪存的一种技术类型)供应量 。有行业产能调整清单显示,今年三到四季度 ,三星的NAND晶圆投入量同比减少15%,SK海力士直接砍了20%,铠侠和美光也分别削减了12%和18%。
与此同时 ,为抢占AI存储风口,各大巨头纷纷将传统TLC NAND产线改造为更适合AI数据中心的QLC工艺产线,这导致常规NAND产能进一步被挤压 ,加剧了市场供应紧张局面。
而在需求端,随着AI技术的迅猛发展,AI数据中心对存储需求呈爆发式增长 。单台AI服务器的NAND用量是传统服务器的3倍 ,这使得大容量SSD需求激增。科技公司为保障自身业务发展,开启“恐慌性囤货”模式,纷纷砸钱抢订NAND配额。不少供应商明年的NAND供货配额已被抢订一空,进一步推动了价格上涨 。
“四大类别的存储产品都出现了缺货涨价 ,在我30多年职业生涯里前所未见,这种情况令人头疼。”存储模组厂商威刚科技董事长陈立白在10月底的一场活动上这样表示。
TrendForce集邦咨询最新调查显示,2026年全球市场仍面临不确定性 ,特别是存储器步入强劲上行周期,导致整机成本上扬,并将迫使终端定价上调 ,进而冲击消费市场 。
摩根士丹利在研报中预测,存储行业将开启一个持续数年的“超级周期 ”,全球存储市场规模有望在2027年迈向3000亿美元。
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